三星內部工程師曝關鍵線索
根據 Wccftech 報導,任天堂下一代主機 Switch 2 有可能採用三星最新的第五代 V-NAND 快閃記憶體,將帶來更快的讀取速度與更流暢的遊戲體驗。本篇將帶你解析背後的技術與傳聞來源。
知名 Youtuber「Doctre81」在影片中發現,前三星高層的 LinkedIn 頁面透露他曾領導設計與開發一款用於「任天堂未來遊戲卡」的 V-NAND 控制器設備,與 Switch 2 傳聞高度吻合。
採用第五代 V-NAND,效能大躍進
該設備據稱搭載三星第五代 V-NAND,可提供高達 1.4GB/s 的讀取速度,比起目前 Switch 使用的 eMMC 顯著提升,能有效縮短載入時間與遊戲啟動速度。
Switch 2 技術架構持續曝光
據悉,Switch 2 預計搭載英偉達 T239 晶片,支援 DLSS 和光線重建等技術,結合高速 V-NAND,將為玩家提供次世代級的畫面表現與流暢度。
三星目標第 10 代 V-NAND 技術
更令人期待的是,三星正在研發第 9 與第 10 代 V-NAND,第 10 代預計在 ISSCC 2025 亮相,後續量產與落地時程仍待觀察,意味著 Switch 2 若持續合作,未來升級空間仍有想像。
總體而言,這項技術搭配任天堂一貫優化過的遊戲系統,有望讓 Switch 2 成為載入速度與遊戲體驗兼具的輕主機新標竿。雖然官方尚未證實,但若屬實將是一大突破!